Jak posoudit kvalitu komponent s multimetrem
1. Detekce obyčejných diod
Změřte multimetr MF47, připojte červené a černé sondy s oběma koncemi diody, přečtěte si čtení a poté vyměňte sondy pro měření. Na základě výsledků dvou měření je hodnota dopředného odporu diody nízkoenergetických germania 300-500 Ω, zatímco u křemíkových diod je asi 1k Ω nebo větší. Reverzní odpor germaniové trubice je několik desítek kiloohmů a zpětný odpor silikonové trubice je nad 500 kk Ω (hodnota vysoce výkonné diody je mnohem menší). Dobrá dioda má nízký odpor vpřed a vysoký reverzní odpor a čím větší je rozdíl v odporu vpřed a reverzní, tím lepší. Pokud je naměřený odpor dopředu a zpětný odpor velmi malý a blízký nule, ukazuje, že dioda je zkrat interně; Pokud je dopředný a reverzní odpor velmi vysoký nebo má sklon k nekonečno, naznačuje, že uvnitř trubice je otevřený obvod. V obou případech musí být dioda vyřazena.
Při testování silnic: Testování dopředu a reverzního odporu diodové křižovatky PN usnadňuje určení, zda dioda zažívá zkrat rozdělení nebo otevřený obvod.
2. detekce křižovatky PN
Nastavte digitální multimetr do režimu diody a změřte PN křižovatku pomocí sondy. Pokud provádí směr vpřed, zobrazeného čísla je pokles předního napětí PN křižovatce. Nejprve určete sběratel a emitorové elektrody; Změřte pokles dopředného napětí o dvou křižovatkách PN pomocí sondy, kde emitor má vyšší pokles napětí a sběratel má nižší pokles napětí. Při testování dvou křižovatek, pokud je červená sonda připojena ke společnému pólu, testovaný tranzistor je typu NPN a červená sonda je připojena k základně B; Pokud je černá sonda připojena ke společnému terminálu, pak testovaný tranzistor je typu PNP a tento terminál je základna b. Po poškození tranzistoru existují dvě situace pro spojku PN: zkrat a otevřený obvod.
Při testování obvodu: Při testování obvodu je skutečně dosaženo testováním dopředného a reverzního odporu PN křižovatky, aby se určilo, zda je tranzistor poškozen. Odolnost větve je větší než dopředný odpor křižovatky PN. Normálně by měl existovat významný rozdíl v měřeném odporu dopředu a reverzní, jinak bude poškozen spojení PN. Pokud je odpor větve menší než dopředný odpor spojení PN, měla by být větev odpojena, jinak nelze určit kvalitu tranzistoru.
3. detekce modulu modulu třífázového usměrňovače
Jako příklad, jak je znázorněno v připojené obrázku, vezmeme modul můstku semikronu. Nastavte digitální multimetr do testovacího režimu diody, připojte černou sondu k com a červenou sondu k V Ω a pomocí červených a černých sond měření charakteristik vpřed a reverzní diody mezi fázemi 3, 4 a 5 a póly 2 a 1, respektive, pro kontrolu a určení, zda je usměrňovací most intaktní. Čím větší je rozdíl v měřených pozitivních a negativních charakteristikách, tím lepší; Pokud jsou vpřed a zpětné směry nulové, znamená to, že detekovaná fáze byla rozložena a zkrat; Pokud jsou jak vpřed, tak reverzní směry nekonečné, znamená to, že detekovaná fáze byla odpojena. Pokud je poškozena jedna fáze modulu můstku usměrňovače, měla by být vyměněna.
4. detekce modulu IGBT IGBT IGBT
Nastavte digitální multimetr do testovacího režimu Dioda a vyzkoušejte charakteristiky dopředu a reverzní diody mezi moduly IGBT C1. E1 a C2. E2, stejně jako mezi bránou G a E1, E2, aby se určilo, zda je modul IGBT neporušený.
