Spínané napájecí zdroje Odebírají energii z výstupních kondenzátorů
Na diagramu vztahu napětí a náboje je kondenzátor reprezentován diagonální čarou a energie uložená v kondenzátoru je oblast obsažená pod touto čarou. Ačkoli výstupní kapacita výkonových MOSFETů je nelineární a mění se podle změn napětí zdroje kolektoru, akumulace energie ve výstupní kapacitě je stále oblastí obsaženou offline nelineární kapacitou. Pokud tedy dokážeme najít přímku, která dává stejnou plochu jako křivka výstupní kapacity znázorněná na obrázku 1, pak sklon čáry je přesně ekvivalentní výstupní kapacitance, která produkuje stejnou akumulaci energie.
U některých starých-módních tranzistorů MOSFET s planární technologií mohou konstruktéři použít proložení křivky k nalezení ekvivalentní výstupní kapacity na základě hodnot výstupní kapacity v tabulce dat při typicky specifikovaném 25V napájecím napětí zdroje.
Obrázek 2 ukazuje naměřené hodnoty výstupní kapacity a proloženou křivku získanou ze vzorce (3). Ve srovnání se starou-módní technologií MOSFET zobrazenou na obrázku 2 (a) je její výkon dobrý. Avšak pro MOSFETy s více nelineárními výstupními kapacitními charakteristikami využívajícími nové technologie, jako je technologie super junction, jednoduché proložení exponenciální křivky někdy nestačí. Obrázek 2 (b) ukazuje naměřenou výstupní kapacitu MOSFET nové technologie a proloženou křivku získanou pomocí vzorce (3). Pro ekvivalentní hodnotu výstupní kapacity může mezera mezi těmito dvěma v oblasti vysokého napětí způsobit obrovský rozdíl, protože v integračním vzorci je napětí násobeno kapacitou. Odhad na obrázku 2 (b) bude mít za následek mnohem větší ekvivalentní kapacitu, což může zmást původní návrh převodníku.
Pokud se hodnota výstupní kapacity mění podle napětí zdroje kolektoru, lze akumulaci energie ve výstupní kapacitě vypočítat pomocí vzorce (4). Přestože je křivka kapacity zobrazena v tabulce dat, není snadné odečíst hodnotu kapacity z grafu. Na základě napětí zdroje kolektoru je tedy akumulace energie ve výstupním kondenzátoru dána tabulkou v * nové datové tabulce výkonových MOSFET. Pomocí křivky znázorněné na obrázku 3 a vzorce (5) lze získat ekvivalentní výstupní kapacitu při požadovaném stejnosměrném (DC) napětí sběrnice.
