Identifikace a posouzení FET pomocí multimetru
Tranzistor s efektem pole, zkráceně FET. Typický tranzistor je složen ze dvou polarit nosičů náboje, a to většinových nosičů náboje a menšinových nosičů náboje opačné polarity, které se účastní vedení, proto se nazývá bipolární tranzistor. Naproti tomu FET se skládá pouze z většiny nosičů náboje, které se účastní vedení, a je opakem bipolárního, také známého jako unipolární tranzistor. Patří k napěťově řízeným polovodičovým součástem a má výhody vysokého vstupního odporu (108-109 Ω), nízkého šumu, nízké spotřeby energie, velkého dynamického rozsahu, snadné integrace, bez sekundárních poruchových jevů a široké bezpečné pracovní oblasti. Stala se silnou konkurencí bipolárních tranzistorů a výkonových tranzistorů.
Testování tranzistorů s efektem pole
1. Identifikace kolíku přechodového tranzistoru s efektem pole:
Brána tranzistoru s efektem pole je ekvivalentní bázi tranzistoru a zdroj a kolektor odpovídají emitoru a kolektoru tranzistoru. Umístěte jej do rozsahu R × 1k a použijte dvě sondy k měření dopředného a zpětného odporu mezi každým dvěma kolíky. Když jsou propustné a zpětné odpory mezi dvěma kolíky stejné, oba v řádu K Ω, jsou tyto dva kolíky kolektor D a zdroj S (zaměnitelné) a zbývající kolík je hradlo G. U přechodového tranzistoru s efektem pole se čtyřmi kolíky je druhým pólem stínění (při použití uzemněné).
2. Soudná brána
Dotkněte se jedné elektrody trubice černou sondou multimetru a dalších dvou elektrod se dotkněte červenou sondou. Pokud jsou dvakrát naměřené hodnoty odporu obě velmi malé, znamená to, že se jedná o dopředné odpory. Tento tranzistor patří k N-kanálovému tranzistoru s efektem pole a černá sonda je také připojena k hradlu.
Výrobní proces určuje, že zdroj a kolektor tranzistoru s efektem pole jsou symetrické, zaměnitelné a neovlivňují normální provoz obvodu, takže je není třeba rozlišovat. Odpor mezi zdrojem a odtokem je asi několik tisíc ohmů.
Všimněte si, že tuto metodu nelze použít k určení hradla izolovaného hradlového tranzistoru s efektem pole. Protože vstupní odpor tohoto typu elektronky je extrémně vysoký a mezielektrodová kapacita mezi hradlem a zdrojem je velmi malá, může během měření malé množství náboje vytvořit na mezielektrodové kapacitě vysoké napětí, které může elektronku snadno poškodit.
