Aplikace mikroskopů v LED: Strategicky vznikající průmysl
LED (Light Emitting Diode, zkráceně LED) je zkratka pro Light Emitting Diode. Od druhé poloviny roku 2009 zaznamenal trh LED velký skok. Vzhledem k tomu, že jde o rychle se rozvíjející průmysl, očekává se, že do roku 2015 rozsah odvětví LED přesáhne 500 miliard juanů, včetně 160 miliard juanů pro průmysl obecného osvětlení, 120 miliard juanů pro průmysl s podsvícením LCD televizorů velkých{7}}, 20 miliard juanů pro průmysl osvětlení, automobilový průmysl a 100 miliard juanů pro průmysl všeobecného osvětlení a 160 miliard juanů krajina, displej a další průmyslová odvětví.
Průmyslový řetězec LED lze zhruba rozdělit do tří částí, jmenovitě před růst substrátu, výroba epitaxních plátků, balení čipů ve středním proudu a následné aplikační produkty. V celém průmyslovém řetězci jsou hlavními částmi růst substrátu a výroba epitaxních plátků, které mají relativně vysoký technologický obsah a představují téměř 70 % hodnoty výstupu a zisku odvětví.
Současný vývojový trend LED průmyslu je ovlivněn jak mezinárodními, tak domácími trhy. Čínský LED průmysl, řízený National Semiconductor Lighting Project, původně vytvořil relativně kompletní průmyslový řetězec, včetně substrátových materiálů před LED, výroby LED epitaxních destiček, přípravy LED čipů, balení LED čipů a aplikace LED produktů.
Jak je dobře známo, polovodičové světelné-diody mají výhody, jako je vysoká účinnost konverze a dlouhá životnost, a jsou považovány za další generaci světelných zdrojů, které nahradí tradiční světelné zdroje, které se v současnosti používají. Na základě současného výkonu světelných-diod však stále existuje mnoho technických obtíží, které je třeba překonat, abychom tohoto cíle dosáhli, a je třeba zvýšit výzkumné úsilí v oblasti analýzy a charakterizace materiálů, technologie analýzy zařízení a dalších aspektů. Optické mikroskopy, rastrovací elektronové mikroskopy, rentgenové energetické spektrometry, hmotnostní spektrometry sekundárních iontů a další vybavení se staly základními analytickými nástroji pro selhání zařízení a strukturální analýzu, stejně jako pro monitorování, zlepšování a zlepšování epitaxních procesů v obalové struktuře zařízení s diodami emitujícími světlo a struktury, složení a rozhraní čipů.
